GD25D10EEIGR

GD25D10EEIGR

Número de pieza: GD25D10EEIGR
Clasificación de productos: Memoria
Fabricante: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Descripción: IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: USD

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Grado -
  • Calificación -
  • Tipo de Memoria Non-Volatile
  • Tamaño de la Memoria 1Mbit
  • Organización de la Memoria 128K x 8
  • Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
  • Formato de Memoria FLASH
  • Frecuencia de Reloj 104 MHz
  • Tiempo de Acceso 6 ns
  • Paquete / Carcasa 8-XFDFN Exposed Pad
  • Interfaz de Memoria SPI - Dual I/O
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-USON (3x2)
  • Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 100µs, 4ms
  • Tecnología FLASH - NOR (SLC)